Everspin MRAM替代：32Mbit串行STT?MRAM存儲芯片
2026-09-08 09:50:30
串行SPI STT?MRAM存儲芯片為32Mbit密度，兼容Single/Dual/Quad SPI多種工作模式，支持SPI Mode0、Mode3；SDR最高108MHz，DDR可達54MHz，同時支持XIP原地執行讀寫，能夠直接運行存儲內程序，減少系統RAM資源占用。
SPI STT?MRAM存儲芯片提供雙供電版本，3.3V型號電壓區間2.70?3.60V，1.8V版本1.71?1.98V；工業級溫區?40℃~85℃。硬件封裝提供8?WSON、24?FBGA兩種貼片形態，適配高密度布板設計。SPI STT?MRAM芯片存儲單元基于STT?MRAM磁阻技術，寫循環可達10¹?次，讀次數無上限，85℃條件下數據保存可達20年，無需外部ECC即可保障數據完整性。
作為Everspin MRAM替代型號評估對象，這款32Mbit SPI MRAM可用于工業控制日志緩存、儀器儀表參數存儲、網絡設備配置保存、物聯網終端黑匣子記錄等場景。替換階段建議核對供電、SPI時序、封裝引腳，完成板級讀寫、高低溫實測再導入BOM。串行接口引腳數量少，相比并行存儲可以簡化PCB布局，適合新老嵌入式平臺升級迭代。
本文關鍵詞：STT?MRAM存儲芯片
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