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現(xiàn)貨供應Winbond華邦W972GG6KB-25 DDR2 SDRAM

2026-08-25 09:51:38

  W972GG6KB-25是華邦電子(Winbond Electronics)推出的一款高密度DDR2 SDRAM同步動態(tài)隨機存儲器,采用84-ball TFBGA封裝,適用于對數(shù)據(jù)吞吐速率和功耗控制有嚴格要求的嵌入式系統(tǒng)、通信設(shè)備及消費電子終端。DDR2 SDRAM歸屬于易失性存儲類別,W972GG6KB-25核心工作依賴于同步時鐘信號,所有命令發(fā)送與數(shù)據(jù)傳輸均以外部時鐘上升沿為基準,確保與系統(tǒng)總線保持嚴格的時序?qū)R。W972GG6KB-25 DDR2 SDRAM支持自刷新模式,當系統(tǒng)進入低功耗待機狀態(tài)時,內(nèi)部計時器可獨立維持刷新操作,此時供電電流降至微安級別,有利于電池供電設(shè)備的續(xù)航優(yōu)化。
現(xiàn)貨供應Winbond華邦W972GG6KB-25 DDR2 SDRAM
 
  從內(nèi)部組織結(jié)構(gòu)來看,W972GG6KB-25提供2Gb(即2048Mb)的總存儲容量,排布為16,777,216個字長×8個獨立存儲體(Bank)×16位數(shù)據(jù)位寬。這一多存儲體架構(gòu)支持并行訪問操作,可有效隱藏行激活與預充電延遲,提升隨機訪問效率。W972GG6KB-25 16位數(shù)據(jù)總線寬度在PCB布線密度與傳輸帶寬之間取得了平衡,特別適合中等位寬要求的應用場景。
 
 
  W972GG6KB-25芯片支持1.7V至1.9V的寬范圍電源輸入,標稱電壓為1.8V,相較初代DDR的2.5V顯著降低了動態(tài)功耗。同時,片內(nèi)集成了片內(nèi)終結(jié)(ODT)電阻,可根據(jù)系統(tǒng)負載動態(tài)調(diào)整信號反射抑制能力,改善高速信號完整性。W972GG6KB-25工作溫度范圍劃分為0°C至85°C(TC殼溫),覆蓋商用級與工業(yè)級溫度區(qū)間,滿足絕大多數(shù)室內(nèi)外非極端環(huán)境下的連續(xù)運行需求。
 
 
  英尚微深耕IC領(lǐng)域,作為成熟的高端芯片供應及方案技術(shù)提供商。專注為各類關(guān)鍵核心系統(tǒng),提供穩(wěn)定、低功耗、高性能的芯片整體解決方案,我們代理多個DRAM存儲芯片產(chǎn)品系列,可提供大量華邦原裝產(chǎn)品現(xiàn)貨,價格優(yōu)惠,性能穩(wěn)定,如果您有需要,歡迎隨時來電聯(lián)系。



本文關(guān)鍵詞:DDR2 SDRAM,W972GG6KB-25
 

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