2027年HBM產能全面告罄，存儲器市場確立主導格局
2026-08-12 10:03:17
近期，三大原廠已陸續完成2027年全年度產能分配談判，DRAM與高帶寬存儲器（HBM）產能均提前售罄。盡管NAND Flash供需壓力略小于DRAM，但預計至2026年8月底，NAND Flash產能亦將被預訂一空。當前，無論是否簽訂長期協議（LTA），下游客戶均普遍接受并配合原廠提前支付訂金的模式。這一態勢印證了2027年將成“存儲器供應最緊缺年份”的預判，不過業內預計后續產品價格上漲幅度或將趨于緩和。
在AI算力需求的強勁驅動下，存儲器供需格局實現根本性翻轉。目前，各主要原廠已相繼與核心大客戶鎖定3至5年的LTA供貨合約，此舉標志著存儲器產業正逐步擺脫傳統標準品周期的束縛，加速邁入長期賣方市場。
受制于存儲器實際產能釋出通常僅達原廠規劃目標的60%–70%，在總產能受限的前提下，原廠優先保障云端服務商（CSP）及AI頭部企業的訂單，從而對傳統消費終端領域形成明顯擠壓。預計2027年，手機與PC廠商所能獲取的DRAM配給額度將較2026年顯著縮減。
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