EM6OF08NWAND是鈺創推出的高性能DDR4同步DRAM芯片，搭載實用的異步復位功能，完全遵循JEDEC行業標準，憑借穩定的性能、低功耗設計與豐富的功能配置，廣泛適配各類主流存儲應用場景，是一款高可靠性的8Gb容量DRAM芯片。
 

DRAM芯片存儲規格為1024Mx8，支持1333MHz、1600MHz雙檔快速時鐘速率，數據傳輸效率出色。供電方面采用分級供電設計，VDD與VDDQ標準電壓為1.2V（浮動±0.06V），VPP電壓區間為2.375V-2.75V，電壓適配性強。DRAM芯片溫度適配覆蓋商業級場景，常規工作溫度區間為0℃~85℃，擴展工作溫度可達85℃~95℃，可適配多場景溫度運行環境。

 

DRAM芯片采用8n位預取架構，運行架構高效合理。同時集成多項低功耗技術，支持預充電功耗降低、主動功耗下降、低功耗自動刷新、細粒度刷新、自刷新中止等功能，搭配最大省電模式，可有效降低設備運行能耗，具備完善的信號校驗與自適應調節能力，兼容JEDEC時鐘抖動規范，搭載差分時鐘、雙向差分數據選通脈沖，支持動態片上終端、動態阻抗調節、ZQ校準等功能。同時DRAM芯片配備CA奇偶校驗、數據總線CRC校驗、讀寫訓練等容錯機制，保障數據傳輸精準穩定。DRAM芯片還支持多種突發模式、讀寫延遲可調、自動預充電，且滿足RoHS環保標準，采用78球FBGA無鉛無鹵素封裝，體積小巧、兼容性極佳。