IS62WV102416EALL/BLL是低功耗、16M位靜態ram由16位1024K字組成。它是采用的高性能CMOS制造技術。這種高度可靠的工藝加上創新的電路設計技術，生產出高性能、低功耗的器件。當為高電平或CS2為低電平時或者當為低電平時，CS2為高電平，兩者皆是和為高電平時，設備處于待機狀態可以降低功耗的模式CMOS輸入電平下降。通過使用芯片提供了簡單的存儲器擴展使能和輸出使能輸入。低電平有效寫使能控制的寫入和讀取記憶。數據字節允許高位字節和低位字節(訪問。IS62WV102416EALL/BLL和封裝在JEDEC中標準48引腳BGA(6毫米x 8毫米)。
 

ISSI SRAM IS62WV102416兼容芯片關鍵特征

①1Mx16低壓，超低功耗CMOS靜態RAM

②高速訪問時間:45ns、55ns

③CMOS低功耗操作

–運行(典型):10.8毫瓦(1.8伏)，18毫瓦(3.0伏)

–CMOS待機模式(典型):48瓦(1.8伏)，90瓦(3.0伏)

④TTL兼容接口電平

⑤單電源

–1.65伏—1.98伏Vdd(62/65WV102416EALL)

–2.2V-3.6V Vdd(62/65vv 102416 ebll)

⑥高位和低位字節的數據控制

⑦工業和汽車溫度支持

本文關鍵詞：ISSI SRAM
 

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