作為高性能非易失性存儲(chǔ)器件，Everspin MRAM存儲(chǔ)芯片憑借高可靠性、低功耗的優(yōu)勢，廣泛應(yīng)用于各類工業(yè)與高端電子場景。MRAM存儲(chǔ)芯片制備主要依托半導(dǎo)體晶圓廠后端制程完成，整套工藝精度要求嚴(yán)苛。

 

　　底部電極制備是Everspin MRAM存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)的基礎(chǔ)工序。行業(yè)采用成熟的圖案化與鑲嵌工藝打造電極底層，完成制備后需對表層進(jìn)行精密拋光處理，構(gòu)建超光滑平整的基底表面，為后續(xù)MTJ堆棧沉積提供合格工藝條件。生產(chǎn)中需嚴(yán)格管控電極平整度、高度尺寸，全程規(guī)避工藝缺陷，保障后續(xù)多層結(jié)構(gòu)的沉積精度。
 

 

　　MTJ堆棧沉積是MRAM存儲(chǔ)芯片制造的核心工序。Everspin采用一體化PVD物理氣相沉積設(shè)備，精準(zhǔn)疊加20至30層金屬與絕緣薄膜，單層厚度控制在0.2-5.0nm。其中核心的MgO氧化鎂隧穿壁壘層，沉積精度可達(dá)0.01nm，直接影響RA電阻面積乘積與TMR隧道磁阻兩大核心參數(shù)，細(xì)微工藝偏差都會(huì)造成芯片性能衰減。

 

　　磁退火工藝用于定型MTJ堆棧的晶體結(jié)構(gòu)與磁學(xué)特性。沉積完成后的晶圓需在磁場高溫環(huán)境下完成退火處理，優(yōu)化界面材質(zhì)、固定磁化方向。工序結(jié)束后，工作人員會(huì)全面檢測芯片電學(xué)、磁學(xué)性能，通過在線計(jì)量把控工藝穩(wěn)定性。

 

　　MTJ柱圖案化與頂部電極制備為收尾關(guān)鍵工序。工藝需精準(zhǔn)雕琢20-100nm的微型圓形存儲(chǔ)柱結(jié)構(gòu)，通過精密光刻、離子束蝕刻技術(shù)，規(guī)避側(cè)壁金屬沉積、層體損傷等問題，嚴(yán)控柱體尺寸與形態(tài)。最后依托雙重鑲嵌工藝完成頂部電極成型，配合無缺陷封裝層全方位保護(hù)MTJ核心結(jié)構(gòu)，保障Everspin MRAM存儲(chǔ)芯片穩(wěn)定量產(chǎn)。

本文關(guān)鍵詞：MRAM存儲(chǔ)芯片
 

上一篇文章：netsol型號(hào)替代issi低功耗SRAM芯片選型方案

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