在高密度、高速率的半導體系統應用場景中，SRAM憑借穩定的讀寫性能、靜態存儲優勢，成為各類工業及商用電子設備的核心存儲器件。偉凌創芯推出的8Mbit異步快速靜態SRAM存儲器，依托成熟的CMOS先進工藝打造，適配各類高速電路運行需求，憑借優異的綜合性能，異步SRAM廣泛適配高密度高速電子系統的搭建與升級。
 

EMI異步SRAM型號EMI508WF16VB-15是一款8，388，608位高速靜態隨機存取存儲器組織為512K16位的字。它使用16個公共輸入輸出線并具有輸出使能引腳操作速度比讀取時的地址訪問時間更快循環。該設備是使用先進的CMOS工藝、基于6-TR的單元技術和專為高速電路技術而設計，摒棄復雜的運行邏輯，全程支持完全靜態操作，無需時鐘信號輔助運行，特別適用于高密度高速系統應用。
 

在運行時序方面，異步SRAM設備輸出使能引腳響應速度優異，運行效率優于常規地址訪問讀取速度。所有讀周期時序均以有效地址為基準切換，可有效規避讀寫周期內的總線競爭問題，保障DQ常規應用場景下的數據傳輸穩定性，大幅降低設備運行故障概率。

 

 

①異步SRAM快速訪問時間:15ns

②CMOS低功耗待機模式

③寬電源電壓范圍:1.65V至3.6V

④TTL兼容輸入和輸出

⑤完全靜態操作

⑥三種狀態輸出

⑦數據字節控制(x8、x16模式)

⑧標準44TSOP2封裝

⑨工業運行溫度

⑩異步SRAM符合ROHS標準
 

憑借高速、低耗、高穩定、強兼容的綜合優勢，這款偉凌創芯異步SRAM存儲器主打高密度高速系統應用，可廣泛應用于工業控制設備、智能嵌入式系統、通信電子設備、車載電子模塊等場景，是高端電子系統存儲升級的優選器件。
 

作為偉凌創芯的全權授權代理，深圳市英尚微電子有限公司連接原廠資源，專注于存儲芯片、半導體產品的供應與解決方案設計。我們的使命是超越單純的元件供應，憑借專業的行業經驗與技術支持團隊，為客戶提供最佳的存儲選型設計方案，如您有需要，歡迎來電咨詢。

本文關鍵詞：SRAM
 

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